Влияние радиации

Благодаря постоянному совершенствованию исходных материалов и технологических процессов характеристики полупроводниковых приборов и микросхем достигают все более высоких уровней. Широкое использование полупроводниковых гетероструктур для создания приборов твердотельной СВЧ электроники является характерной особенностью современного этапа развития технологических базисов СВЧ приборов и интегральных схем. Одним из наиболее перспективных направлений разработки СВЧ гетероструктурных элементов является применение нитридов галлия при создании полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов в канале на основе гетероструктуры AlGaN/GaN. Следует отметить, что германий, находившийся достаточно долгое время за бортом микроэлектроники, в настоящее время в составе гетероструктуры SiGe является перспективным материалом для создания СВЧ приборов. Целью данной работы является обобщение результатов, полученных при исследовании влияния ионизирующих излучений на характеристики современных и перспективных изделий твердотельной СВЧ электроники на основе полупроводниковых гетероструктур AlGaN/GaN и SiGe.